高純氯化氫是集成電路生產中硅片蝕刻，鈍化和外延等工藝的重要材料，也可用于金屬冶煉，光導通訊和科學研究等領域。隨著大規模集成電路的發展，對氯化氫純度的要求越來越高，對其中雜質的含量要求越來越苛刻，尤其要求嚴格限制碳氫化合物和碳氧化合物的含量，以防止硅片加工過程中c的形成。國內外對于制備高純氯化氫的方法有很多。

    20世紀70年代以前電子工業用高純氯化氫的制備一直是將濃硫酸滴加到濃鹽酸中，將其中的水吸收掉，使過飽和的氯化氫氣體析出 。20世紀8O年代以后制備方法發展到用濃硫酸與焙烘干的氯化鉀反應，生成高純氯化氫氣體，用壓縮機壓入鋼瓶中。即曼海姆法硫酸鉀聯產氯化氫氣體日。此種方法生產的氯化氫氣體純度在99．9％(質量分數)以上。

    為了測定在吸飽HCl-H2O件下的耐酸性，曾使樣品吸HCl-H2O飽和后，用塑料袋密封放置多天，再生后再測其吸水性能，吸水量仍未下降。其耐酸性能良好。A型分子篩耐酸性能差，吸附性能大幅度下降。JMT型干燥劑是一種含硅鋁比的絲光沸石型分子篩，具有良好的熱穩定性，除在300℃前有一脫水而引起明顯吸熱峰外，在900℃前無明顯的分解峰，說明其晶格具有優良的穩定性。

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